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磁珠和電感區(qū)別和特點(diǎn)
從原理上來說,磁珠可等效成一個(gè)電感,所以磁珠在EMI和EMC電路中就相當(dāng)于一個(gè)抑制電感的作用,主要是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制。也就是我們常說高頻濾波器。
磁珠可等效成一個(gè)電感,但這個(gè)等效電感與電感線圈是有區(qū)別的,磁珠與電感線圈的zui大區(qū)別就是,電感線圈有分布電容。因此,電感線圈就相當(dāng)于一個(gè)電感與一個(gè)分布電容并聯(lián)。如圖1所示。圖1中,LX為電感線圈的等效電感(理想電感),RX為線圈的等效電阻,CX為電感的分布電容。


圖2是普通電感線圈的阻抗與頻率的關(guān)系圖,由圖中可以看出,電感線圈的阻抗開始的時(shí)候是隨著頻率升高而增大的,但當(dāng)它的阻抗增大到zui大值以后,阻抗反而隨著頻率升高而迅速下降,這是因?yàn)椴⒙?lián)分布電容的作用。當(dāng)阻抗增到zui大值的地方,就是電感線圈的分布電容與等效電感產(chǎn)生并聯(lián)諧振的地方。圖中,L1 > L2 > L3,由此可知電感線圈的電感量越大,其諧振頻率就越低。從圖2中可以看出,如果要對(duì)頻率為1MHz的干擾信號(hào)進(jìn)行抑制,選用L1倒不如選用L3,因?yàn)長(zhǎng)3的電感量要比L1小十幾倍,因此L3的成本也要比L1低很多。
如果我們還要對(duì)抑制頻率進(jìn)一步提高,那么我們zui后選用的電感線圈就只好是它的zui小極限值,只有1圈或不到1圈了。磁珠,即穿心電感,就是一個(gè)匝數(shù)小于1圈的電感線圈。但穿心電感比單圈電感線圈的分布電容小好幾倍到幾十倍,因此,穿心電感比單圈電感線圈的工作頻率更高。
穿心電感的電感量一般都比較小,大約在幾微亨到幾十微亨之間,電感量大小與穿心電感中導(dǎo)線的大小以及長(zhǎng)度,還有磁珠的截面積都有關(guān)系,但與磁珠電感量關(guān)系z(mì)ui大的還要算磁珠的相對(duì)導(dǎo)磁率Uy。圖3、圖4是分別是指導(dǎo)線和穿心電感的原理圖,計(jì)算穿心電感時(shí),首先要計(jì)算一根圓截面直導(dǎo)線的電感,然后計(jì)算結(jié)果乘上磁珠相對(duì)導(dǎo)磁率 就可以求出穿心電感的電感量。

在低頻時(shí),一般磁珠的相對(duì)導(dǎo)磁率都很大(大于100),但在高頻時(shí)其有效導(dǎo)磁率只有相對(duì)導(dǎo)磁率的幾分之一,甚至幾十分之一。因此,磁珠也有截止頻率的問題,所謂截止頻率,就是使磁珠的有效導(dǎo)磁率下降到接近1時(shí)的工作頻率fc,此時(shí)磁珠已經(jīng)失去一個(gè)電感的作用。一般磁珠的截止頻率fc都在30~300MHz之間,截止頻率的高低與磁珠的材料有關(guān),一般導(dǎo)磁率越高的磁芯材料,其截止頻率fc反而越低,因?yàn)榈皖l磁芯材料渦流損耗比較大。使用者在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的時(shí)候,可要求磁芯材料的提供商提供磁芯工作頻率與有效導(dǎo)磁率 的測(cè)試數(shù)據(jù),或穿心電感在不同工作頻率之下的曲線圖。圖5是穿心電感的頻率曲線圖。

使用磁珠進(jìn)行電磁屏蔽的優(yōu)點(diǎn)是磁珠不用接地,可以免去屏蔽線要求接地的麻煩。用磁珠作為電磁屏蔽,對(duì)于雙導(dǎo)線來說,還相當(dāng)于在線路中接了一個(gè)共模抑制電感,對(duì)共模干擾信號(hào)有很強(qiáng)的抑制作用。
由此可知,電感線圈主要是用于對(duì)低頻干擾信號(hào)進(jìn)行EMI抑制,而磁珠主要是對(duì)高頻干擾信號(hào)進(jìn)行EMI抑制,因此,對(duì)一個(gè)頻帶很寬的干擾信號(hào)進(jìn)行EMI抑制,必須同時(shí)采用多個(gè)不同性質(zhì)的電感才會(huì)有效。另外,對(duì)共模傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行EMI抑制,還要注意抑制電感與Y電容的連接位置。Y電容和抑制電感盡量靠近電源的輸入端,即電源插座的位置,并且高頻電感要盡量靠近Y電容,而Y電容還要盡量靠近與大地連接的地線(三心電源線的地線),這對(duì)EMI抑制才有效。
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