全自動FOUP清洗機專為半導(dǎo)體制造中的晶圓存儲與傳輸容器（FOUP/FOSB/Cassette）設(shè)計，集成噴淋清洗、超聲波空化、離心干燥等技術(shù)，實現(xiàn)自動化去污與快速干燥。設(shè)備符合SEMI S2/S8標準，適用于制程中12英寸晶圓載具的清潔需求，可有效去除微粒、有機物、金屬污染及化學(xué)殘留，保障晶圓存儲環(huán)境的潔凈度（Class 10級）。
核心功能與技術(shù)優(yōu)勢
多模式清洗技術(shù)：
雙流體旋轉(zhuǎn)噴射：高速DI水與壓縮空氣混合形成旋轉(zhuǎn)射流，剝離＞0.1μm顆粒及頑固污染物，覆蓋FOUP內(nèi)壁、凹槽等復(fù)雜結(jié)構(gòu)。
超聲波空化清洗：1MHz高頻振動分解光刻膠殘留、油脂及納米級顆粒，避免機械接觸損傷。
化學(xué)噴淋輔助：可選配HF/H?O?溶液噴淋，針對金屬腐蝕物（如銅、鋁殘留）進行定點去除。
高效干燥系統(tǒng)：
離心甩干+熱風(fēng)干燥：高速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）結(jié)合溫控?zé)犸L(fēng)（60-120℃），殘水率＜5ppm，杜絕水痕缺陷。
惰性氣體保護：可選配氮氣吹掃，防止干燥過程中二次污染。
自動化與智能化：
全自動流程：上料→清洗→漂洗→干燥→下料，全程無人干預(yù)，兼容MES系統(tǒng)對接，支持工藝參數(shù)追溯。
AI污漬識別：內(nèi)置光學(xué)檢測模塊，自動判斷污染物類型并調(diào)整清洗強度（如延長超聲時間或增加化學(xué)劑量）。
關(guān)鍵性能參數(shù)
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|---|---|
| 適用載具 | 12/14英寸FOUP、FOSB、Cassette |
| 清洗效率 | 單循環(huán)≤15分鐘（含3次漂洗） |
| 潔凈度 | 表面顆粒＜3顆/cm2（≥0.2μm） |
| 殘水率 | ＜5ppm（離心+熱風(fēng)干燥） |
| 化學(xué)液消耗 | ＜50ml/循環(huán)（按需補償） |
| 電源/氣源 | AC 380V, 50Hz / N?（純度≥99.99%） |
| 外形尺寸 | 1200mm×1000mm×1800mm（標準機型） |
應(yīng)用場景
前道工藝：光刻后FOUP清潔，防止光刻膠污染新晶圓。
后道測試：存儲芯片的FOUP定期維護，避免氧化或微粒吸附。
光伏/化合物半導(dǎo)體：硅片承載盒清洗，兼容GaN、SiC等材料。
